طور فريق بحثي صيني جهاز ذاكرة فلاش يمكنه تخزين البيانات بسرعة بت واحد لكل 400 بيكو ثانية فقط، مسجلاً رقمًا قياسيًا جديدًا لأسرع جهاز تخزين لأشباه الموصلات تم الإعلان عنه حتى الآن.

وأوضحت وكالة الأنباء الصينية شينخوا، اليوم الجمعة، وفقًا للدراسة التي نُشرت نتائجها في مجلة "نيتشر" العلمية - هذه الذاكرة غير المتطايرة، التي يطلق عليها اسم "بوكس"، تتفوق على أسرع تقنيات الذاكرة المتطايرة، والتي تستغرق حوالي 1 إلى 10 نانو ثانية لتخزين بت واحد من البيانات.

والبيكو ثانية هو واحد من الألف من نانوثانية أو واحد من تريليون من الثانية.

وفي السابق كانت تعاني الذاكرات المتطايرة مثل "أس رام" و"دي رام" من فقدان.....

لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر "إقرأ على الموقع الرسمي" أدناه

هذا المحتوى مقدم من صحيفة اليوم السابع