أشباه الموصلات الجيل الثالث: لماذا ننتقل إلى كربيد السيليكون؟

تتصدر أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق العريضة عالم الرقائق الإلكترونية بجيلها الثالث من المواد مثل كربيد السيليكون (SiC) ونتريد الغاليوم (GaN). تتسم هذه المواد بقدرتها على تحمل درجات حرارة وفولتية أعلى بكثير من السيليكون التقليدي، ما يجعلها عنصرًا رئيسيًا في شواحن الهواتف السريعة ومحولات الطاقة في السيارات الكهربائية وشبكات الجيل الخامس. وتُظهر تقارير تقنية وجود ارتفاع في الطلب العالمي على رقائق SiC مع زيادة الاعتماد على هذه المواد في التطبيقات الصناعية والسيارات الكهربائية. وتُسهم هذه الرقائق في تقليل حجم المحولات وزيادة كفاءتها، ما ينعكس في تقليل الهدر وتحسين أداء الأنظمة المتصلة بالشبكات والأنظمة الإلكترونية الحديثة.

المواد والتطبيقات الأساسية تؤكد كربيد السيليكون ونتريد الغاليوم قدرتهما على نقل الكهرباء مع أقل قدر من الفقد الحراري مقارنة بالسيليكون التقليدي. في السيليكون التقليدي يضيع جزء من الطاقة.....

لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر "إقرأ على الموقع الرسمي" أدناه


هذا المحتوى مقدم من الإمارات نيوز

إقرأ على الموقع الرسمي


المزيد من الإمارات نيوز

منذ ساعة
منذ ساعة
منذ 3 ساعات
منذ ساعتين
منذ 6 ساعات
منذ ساعة
صحيفة الخليج الإماراتية منذ 5 ساعات
الإمارات نيوز منذ 9 ساعات
صحيفة الاتحاد الإماراتية منذ ساعتين
صحيفة الاتحاد الإماراتية منذ ساعة
صحيفة الخليج الإماراتية منذ 3 ساعات
صحيفة الخليج الإماراتية منذ 16 ساعة
موقع 24 الإخباري منذ ساعة
موقع 24 الإخباري منذ 16 ساعة