ابتكر فريق بحثي من جامعة فودان في الصين أسرع جهاز تخزين شبه موصل تم الإعلان عنه حتى الآن، وهو نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يحمل اسم "PoX"، قادر على برمجة بتّ واحد خلال 400 بيكوثانية فقط (0.0000000004 ثانية)، ما يعادل أداء يصل إلى 25 مليار عملية في الثانية الواحدة.
عادةً ما كانت الذاكرات غير المتطايرة مثل شرائح الفلاش تعاني من بطء في عمليات الكتابة، مقارنةً بالذاكرة المتطايرة، حيث تستغرق عملية الكتابة من ميكروثانية إلى ميلي ثانية.
وعلى الرغم من قدرتها على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، فإنها لم تكن مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، التي تتطلب سرعة عالية وتدفقاً لحظياً للبيانات.
أما ذاكرة "PoX" الجديدة، فقد نقلت هذا النوع من التخزين إلى مستوى جديد من السرعة كان في السابق حكراً على SRAM وDRAM، اللتين تكتبان البيانات في غضون 1 إلى 10 نانوثوانٍ، ولكن مع فقدان تام للمعلومات عند انقطاع الكهرباء.
السر في الغرافين: إعادة تصميم فيزياء الفلاش
قاد فريق البحث البروفيسور تشو بينغ، من مختبر الدولة الرئيسي للرقائق والأنظمة المتكاملة، الذي أعاد تصميم فيزياء شرائح الفلاش بشكل جذري، حيث استبدل الباحثون قنوات السيليكون التقليدية باستخدام غرافين ديراك ثنائي الأبعاد، واستفادوا من تقنية نقل الشحنة الباليستية لبلوغ هذه السرعة الخيالية.
شبّه الباحث المشارك ليو تشونسن هذا التطور الثوري بقفزة هائلة في عالم التخزين قائلاً: "ما فعلناه يشبه التحول من قرص تخزين U يعمل 1000 مرة في الثانية، إلى شريحة.....
لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر "إقرأ على الموقع الرسمي" أدناه
هذا المحتوى مقدم من موقع 24 الإخباري
