تتصدر أشباه الموصلات العقل المدبر وراء الأجهزة الإلكترونية التي نستخدمها يوميًا. يندفع العالم في سباق لتقليل أبعاد الترانزستورات وصولاً إلى دقة 2 نانومتر بهدف وضع مليارات الترانزستورات على شريحة واحدة. وهذا التطور يعزز سرعة المعالجة وكفاءة استهلاك الطاقة بشكل جذري. وتوضح المصادر أن الوصول إلى هذه الدقة يتطلب تقنيات تصنيع متقدمة مثل استخدام الليزر فوق البنفسجي العميق EUV لطباعة الدوائر بدقة عالية.

تواجه القياسات القريبة من حجم الذرة تحديات فيزيائية كبرى، مثل تسرب التيار وارتفاع الحرارة، وهو ما يستلزم حلول هندسية مبتكرة. لذلك طور العلماء بنية ترانزِستورية تسمّى GAAFET، وهي ترانزستورات التأثير الميداني ذات البوابة الشاملة، حيث تحيط القناة التي يمر فيها التيار من جميع الجهات لضمان تحكم أقوى وتقليل التسرب. هذه التقنية ستتيح للهاتف المحمول مستقبلاً العمل بفترة تشغيل أطول.....

لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر "إقرأ على الموقع الرسمي" أدناه

هذا المحتوى مقدم من الإمارات نيوز