تشير تقارير صناعية إلى أن تقنية الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) أصبحت حجر الزاوية في تمكين نماذج الذكاء الاصطناعي الكبرى من العمل بكفاءة عالية. وتبرز المشكلة المعروفة بعنق الزجاجة في الذاكرة كمعوق رئيسي لقدرات المعالجات في نقل البيانات بسرعة كافية. وللتغلب على هذا التحدي اعتمدت شركات وصانعي المعالجات تقنيات تصميم متقدمة لتوفير مسارات بيانات أوسع. وتستند هذه التقنية إلى ترتيب ثلاثي الأبعاد عبر السيليكون العمودي TSV يربط الذاكرة بالمعالج على نفس اللوحة بشكل مباشر، بما يسرع النقل ويخفض استهلاك الطاقة.

تصميم متقدم للذاكرة تعتمد الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي على تصنيع دقيق يقوم بتكديس طبقات الذاكرة فوق بعضها البعض باستخدام تقنية عبر السيليكون العمودية TSV، وهو ترتيب ثلاثي الأبعاد يسمح بربط الذاكرة بالمعالج على نفس اللوحة بشكل مباشر. بفضل هذا التصميم توجد آلاف المسارات لنقل البيانات في آن واحد وتقل المسافات التي تقطعها الإشارات، ما يرفع سرعة النقل بشكل كبير ويقلل استهلاك الطاقة. كما يؤدي الجمع بين التكديس والاتصال المباشر إلى تقليل الاختناقات وتحسين كفاءة استغلال الطاقة في الأنظمة عالية الأداء.

آثار عملية ومخرجات اقتصادية ينتشر استخدام هذه التقنية بشكل واسع في مراكز.....

لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر "إقرأ على الموقع الرسمي" أدناه

هذا المحتوى مقدم من الإمارات نيوز